SK Hynix инвестирует $38,1 млрд в два новых завода по производству чипов памяти на фоне спроса на ИИ
Южнокорейская SK Hynix объявила о планах инвестировать 54 трлн вон ($38,1 млрд) в строительство двух новых заводов по производству чипов памяти. Компания связывает решение с продолжающимся ростом спроса на компоненты для ИИ, включая высокопроизводительную память (HBM).
Инвестиции распределены так: 35,2 трлн вон пойдут на завод Y2 в Йонгине, 19,1 трлн вон — на предприятие M17 в Чхончжу. Первый будет выпускать DRAM, второй — NAND-память. Y2 станет вторым из четырёх заводов, запланированных в кластере Йонгин. Его строительство начнётся в июле 2027 года, а первая чистая комната откроется в июне 2029-го для производства HBM и других DRAM нового поколения. M17 начнут строить в феврале 2027-го, первую чистую комнату откроют в декабре 2028-го.
О планах объявлено на фоне скачка цен на память из-за дефицита предложения и огромного спроса со стороны компаний, строящих ИИ-инфраструктуру, включая дата-центры и Nvidia. Это уже привело к ралли акций крупнейших производителей — SK Hynix, Samsung и Micron. При этом SK Hynix сталкивается с растущей конкуренцией: по данным Counterpoint Research, Samsung вернула себе первое место по доле рынка DRAM во втором квартале.
Аналитик Counterpoint Нил Шах отмечает, что новые мощности не повлияют на текущий выпуск SK Hynix, но рассчитаны на 2029 год и далее. По его словам, расширение производства у Samsung, SK Hynix, Micron и CXMT заметно увеличит глобальное предложение к 2028 году, однако спрос растёт быстрее, поэтому цены вряд ли снизятся до конца 2028-го. В SK Hynix заявили, что в эпоху ИИ одной технологической конкурентоспособности недостаточно: главное — способность поставить нужный объём точно в срок. Инвестиции станут частью объявленного ранее плана: 600 трлн вон в кластер Йонгин и 100 трлн вон на расширение базы в Чхончжу.
